2019年07月19日

α7R IVは6100万画素裏面照射型CMOSイメージセンサー

ソニーの裏面照射型CMOSイメージセンサーが大好きです。

CMOSイメージセンサーは、CCDイメージセンサーに比べて、低消費電力で、高集積化しやすく、専用の製造ラインを必要とするCCDイメージセンサと比較して廉価に製作が可能である。

ソニーは、以前、CCDイメージセンサー製造において大手であり、ビデオカメラやデジタルカメラを製造する会社へ供給していた。2004年から徐々に、ボンディングワイヤが破断する問題が発生した。これが、ソニー製CCD不具合問題である。この失敗から、ソニーはCMOSイメージセンサーへと移行して行った。

そして、一番のお勧めは、裏面照射型というところです。シリコンウェハにCMOSイメージセンサーを作れば、当たり前だが、シリコンウェハの表面に回路を作ることとなる。光を表面から当てれば、上にある回路を透過した光を検出しなければならない。これでは、光が届かない。これを解決する方法は、裏面からの光検出である。

ソニーと米オムニビジョン・テクノロジーズ社が2008年から裏面照射型CMOSイメージセンサーを作っている。

ソニーは長崎県諫早市の既存工場内にスマートフォンのカメラなどに使う裏面照射型CMOSイメージセンサーの新製造棟を建設する方針を固めた。最大で1200億円を投じ、2021年内にも稼働を始める。





博多はつ花のボランティア修理担当が社長のブログをお借りして、発言させていただきました。

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